針對現(xiàn)有技術(shù)存在的不足，本實(shí)用新型的目的在于提供一種智能電容器的控制電路，具有電路結(jié)構(gòu)簡單合理、成本低等特點(diǎn)。
為實(shí)現(xiàn)上述目的，本實(shí)用新型提供了如下技術(shù)方案：
一種智能電容器的控制電路，包括電流檢測電路、電壓檢測電路、電壓過零檢測電路、電流過零檢測電路、繼電器投切電路、MCU控制電路；所述繼電器投切電路包括磁保持繼電器、第一NPN三極管、第二NPN三極管、第一電阻以及第二電阻；其中，所述磁保持繼電器的線圈上設(shè)置有抽頭，所述抽頭耦接至12V直流電壓；所述第一NPN三極管的集電極耦接至磁保持繼電器的線圈的高端，發(fā)射極接地，基極與第一電阻串聯(lián)；所述第二NPN三極管的集電極耦接至磁保持繼電器的線圈的低端，發(fā)射極接地，基極與第二電阻串聯(lián)。
通過以上技術(shù)方案：MCU控制電路向第一NPN三極管的基極發(fā)出高電平驅(qū)動信號，使第一NPN三極管導(dǎo)通，進(jìn)而磁保持繼電器的線圈的高端接地，此時12V直流電壓從磁保持繼電器的線圈的高端流出，磁保持繼電器作出吸合動作；反之，當(dāng)MCU控制電路向第二NPN三極管的基極發(fā)出高電平驅(qū)動信號，使第二NPN三極管導(dǎo)通，進(jìn)而磁保持繼電器的線圈的低端接地，此時12V直流電壓從磁保持繼電器的線圈的低端流出，由線圈產(chǎn)生的磁場反轉(zhuǎn)，磁保持繼電器作出斷開動作。
優(yōu)選地，還包括繼電器檢測電路，所述繼電器檢測電路包括光耦合器，所述光耦合器的1腳耦接于磁保持繼電器的觸點(diǎn)開關(guān)的一端，2腳耦接于磁保持繼電器的觸點(diǎn)開關(guān)的另一端，3腳接地，4腳耦接通過第三電阻耦接于VCC電壓、通過第四電阻耦接于MCU控制電路。
通過以上技術(shù)方案：當(dāng)磁保持繼電器的觸點(diǎn)開關(guān)吸合時，光耦合器的1、2腳導(dǎo)通，使得3、4腳也導(dǎo)通，進(jìn)而4腳輸出低電平信號至MCU控制電路；反之，當(dāng)磁保持繼電器的觸點(diǎn)開關(guān)斷開時，光耦合器的4腳輸出高電平信號至MCU控制電路；如此，MCU控制電路即可通過判斷光耦合器的4腳的電平高低，來判斷磁保持繼電器是否正常工作。
優(yōu)選地，所述光耦合器的1腳與磁保持繼電器的觸點(diǎn)開關(guān)串聯(lián)有若干限流電阻。
通過以上技術(shù)方案：通過設(shè)置若干限流電阻對光耦合器進(jìn)行保護(hù)。
優(yōu)選地，所述光耦合器的2腳與磁保持繼電器的觸點(diǎn)開關(guān)串聯(lián)有若干限流電阻。
通過以上技術(shù)方案：通過設(shè)置若干限流電阻對光耦合器進(jìn)行保護(hù)。
優(yōu)選地，還包括RS485通訊接口電路，所述RS485通訊接口電路與MCU控制電路耦接。
通過以上技術(shù)方案：MCU控制電路可與上位機(jī)進(jìn)行通訊，以能夠向上位機(jī)傳輸電網(wǎng)的狀態(tài)參數(shù)信息，例如電壓、電流、功率因數(shù)等。
優(yōu)選地，所述RS485通訊接口電路的輸入端耦接有ESD保護(hù)二極管。
通過以上技術(shù)方案：能夠防止產(chǎn)生的靜電對RS485接口電路的信號傳輸造成影響。